열산화 장치의 내부 내화물 벽
고온의 노(800℃~1,200℃) 속에서 실리콘 웨이퍼를 산화함으로써 SiO2절연막을 형성하는 프로세스. 고순도의 산소를 흘려서 산화하는 경우를 드라이 산화라 한다.
고온의 배관 및 산화 장치의 내부는 다양한 환경에 따라 부식 및 손상이 될 수 있으며 이를 적시에 검사하여 추가적인 파손 및 피해를 최소화 하여야합니다.
내화물 벽의 침식 및 부식, 손상 상태 검사
화학공장에서의 내화물질인 단열재는 관의 내부 비금속을 침식, 부식으로부터 보호하는데 사용됩니다.
이러한 단열재가 시간이 지남에 따라 열, 열 사이클링, 침식같은 요인의 영향을 받아 부분적 또는 전체적 결함이 진행된다면 관 자체의 손상이 야기됩니다.
내화물 층의 전체적인 영역은 열 화상 장치를 사용하여 볼 수 있지만, 특정부분은 RVI를 통해서만 볼 수 있습니다.
